林嘉洤 特聘教授 Jia-Chuan Lin, Ph.D., Distinguished Professor

國立臺北大學 (National Taipei University, NTPU)
電機工程學系 (Department of Electrical Engineering, EE)

地址(Address): 237303 新北市三峽區大學路151號 (No. 151, University Rd., Sanxia Dist., New Taipei City 237303, Taiwan, R.O.C.)
聯絡電話(Phone): +886-2-86741111 Ext. 68836

現職 (Current Position):
國立臺北大學 電機工程系 特聘教授 (Distinguished Professor, NTPU)

重要學經歷:(Experiences)
國立臺北大學 行政副校長 (Vice-President for Administration, NTPU)
國立臺北大學 主任秘書 (Chief Secretary, NTPU)
聖約翰科技大學 副校長 (Vice-President, St. John's University)
聖約翰科技大學 教務長 (Dean of Academic Affairs, St. John's University)
國立成功大學 電機 博士/碩士/學士 (Ph.D, EE, National Cheng-Kung University)


代表性著作 (Publications)

SCI期刊論文, 共26篇 (SCI papers)


    ***此僅列第1作者之代表性論文15篇, 此15篇Impact factors總達40以上***

    1. J. C. Lin,and Y. C. Huang “Three-Dimensional Electrochemical Etching by Grid Ditching for Multi-Wavelength Visible-Light Emission on Porous Silicon,” Optics Express, Vol. 28, No. 22, pp. 32549-32555, 2020. 【SCI, Impact factor=3.669@2019】

    2. J. C. Lin* and T. L. Jiang, “Laser Trench Method for Mask-Free Direct Patterning of Porous Silicon Films,”
      IEEE Transactions on Electron Device Letters,
      Vol. 41, No. 7, pp. 1074-1077, 2020.
      【SCI, Impact factor=4.221@2019】

    3. J. C. Lin*, L. F. Wan, K. W. Liu, K. C. Lo, M. L. Yeh, and S. J. Wang,
      “Porous Silicon NDR-Based High Power RF Oscillator Diode,”
      IEEE Transactions on Electron Device Letters,
      Vol. 38, No. 6, pp. 701-704, 2017.
      【SCI, Impact factor=4.221@2019】

    4. J. C. Lin*, H. T. Hou, H. K. Wang, K. C. Lo, and M. K. Hsu,
      “The Edge Effect in Electrochemical Etching on Porous Silicon and Its Direct Evidence on Photoluminescence Patterns,”
      Optical Materials Express,
      Vol. 7, No. 3, pp. 880-887, 2017. 【SCI, Impact factor=2.673@2018】

    5. J. C. Lin*, W. C. Tsai, and P. W. Lee,
      “The Enhancement of Photoluminescence of N-Type Porous Silicon by Hall-Effect Assistance During Electrochemical Anodization,”
      Electrochemistry Communications,
      Vol. 9, pp. 449–453, 2007. 【SCI, Impact factor=4.197@2018】

    6. J. C. Lin*, W. C. Tsai, and W. L. Chen,
      “Light-Emission and Negative-Differential-Conductance of N-Type Nanoporous Silicon with Buried P-Layer Assistance,”
      Applied Physics Letters,
      Vol. 90, pp. 1-4, 2007. 【SCI, Impact factor=3.521@2018】

    7. J. C. Lin*, H. T. Hou, and W. C. Tsai, “A Mask-Free Method of Patterned Porous Silicon Formation by a Localized Electrical Field,”
      Microelectronic Engineering,
      Vol. 84, pp. 336-339, 2007. 【SCI, Impact factor=1.654@2018】

    8. J. C. Lin*, Y. C. Chen, W. C. Tsai, and P. Y. Yang, “Structure Design Criteria of Dual-Channel High Mobility Electron Transistors,”
      Solid-State Electronics,
      Vol. 51, pp. 42-46, 2007. 【SCI, Impact factor = 1.438@2010】

    9. J. C. Lin*, P. Y. Yang, and W. C. Tsai, “Simulation and Analysis of Metamorphic High Electron Mobility Transistors,”
      Microelectronics Journal,
      Vol. 38, pp. 251-254, 2007. 【SCI, Impact factor = 0.787 @2010】

    10. J. C. Lin*, Y. C. Chen, and W. C. Tsai, “The Study of Delta-Doped InGaP/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor”
      Microelectronics Journal,
      Vol. 38, pp. 310-315, 2007. 【SCI, Impact factor = 0.787@2010】

    11. J. C. Lin*, W. C. Tsai, and W. L. Chen, “Disperse Pipe Trench on Silicon by Electrochemical Etching with Pulsed Voltage or Pulsed Illumination,”
      Electronics Letters,
      Vol. 43, No. 4, pp. 247-248, Feb. 2007. 【SCI, IMPACT FACTOR=1.343@2018】

    12. J. C. Lin*, P. W. Lee, and W. C. Tsai, “Manufacturing Method for N-type Porous Silicon Based on Hall Effect without Illumination,”
      Applied Physics Letters,
      Vol. 89, No. 12, pp. 121119-121121, 2006. 【SCI, IMPACT FACTOR=3.521@2018】

    13. J. C. Lin*, W. L. Chen, and W. C. Tsai, “Photoluminescence from N-type Porous Silicon Layer Enhanced by a Forward-Biased NP-Junction,”
      Optics Express,
      Vol. 14, No. 21, pp. 9764-9769, 2006. 【SCI, IMPACT FACTOR=3.561@2018】

    14. J. C. Lin*, W. C. Tsai and W. S. Lee,
      “The Improved Electrical Contact Between a Metal and Porous Silicon by Deposition Using a Supercritical Fluid,”
      Nanotechnology,
      Vol. 17, pp. 2968-2971, 2006. 【SCI, IMPACT FACTOR=3.399@2018】

    15. J. C. Lin, S. J. Wang, W. R. Liou, Y. C. Luo and C. Y. Cheng,
      "Numerical Simulation and Experimental Realization of delta-Doped Single Barrier Resonant Tunneling Diodes,”
      Japanese Journal of Applied Physics,
      Vol. 35, Part 1, No. 2A, pp. 568-573, 1996. 【SCI, Impact factor = 1.018 @2010】


專書專章 (Book Chapters)


    1. J. C. Lin* and W. C. Tsai, “Novel Manufacturing and Processing Technologies of Nanoporous Silicon,” in Nanotechnology Research Developments edited by R. Jimenez-Contreras, Nova Science Publishers, Inc. (2007). [ISBN 978-1-60021-899-6]

    2. J. C. Lin* and W. C. Tsai, “Light Emissions from Nanoporous Silicon Surfaces by a Novel Chemical Anodization Processes,” in Chemical Reactions on Surfaces edited by James I. Duncan and Artur B. Klein, Nova Science Publishers, Inc. (2008). [ISBN 978-1-60456-898-1]



研究計畫 (Projects)

主持研究及產學計畫 (科技部共23件,此僅列2007年之後)

2021年科技部計畫
2021/08/01~2023/07/31科技部,MOST 110-2221-E-305-013-MY2(兩年期),金額:2,062,000元,
多波段光吸收之鈣鈦礦/石墨烯/多孔矽/單晶矽-複合型太陽能電池陣列之研發及其積體整合於自供電Si-LED模組」
2020年科技部計畫
2020/08/01~2021/07/31科技部,MOST 109-2221-E305-002,金額:718,000元,
多孔矽/石墨烯-奈米複合微結構之合成技術及其於發光/感測元件之研製,並應用於穿戴式熱中暑LED警示之濕/溫度感測模組
2019年科技部計畫
2019/08/01~2020/07/31科技部,MOST 108-2221-E305-007,金額:841,000元,
多孔矽-紫外線偵測器/二氧化碳感測器及自供電之雙整合職災檢測電路模組之研製,及其於戶外/室內防護之穿戴應用
2018年科技部計畫
2018/08/01~2019/07/31科技部,MOST 107-2221-E305-013,金額:718,000元,
多孔矽-純弦波產生器之二極體結構研發, 及其於微縮至矽基-直流轉交流逆變電路之關鍵技術開發, 並衍生至太陽能直流能源微型電網之應用
2018年產學合作計畫
2018/07/01~2019/06/30中國探針股份有限公司,金額: 1,680,000元,
探針瑕疵檢測之萬花筒成像研發
2018年產學合作計畫
2018/01/01~2018/12/31嚴慶齡工業發展基金會,金額:1,661,000元,
車聯網、資料雲與汽車共享智慧型系統計畫
2018年工研院計畫
2018/01/01~2018/12/31工業技術研究院,金額:500,000元,
高速雷射照明可見光通訊研究
2018年產學合作計畫
2018/08/15~2019/08/15音律電子股份有限公司,金額:400,000元,
以多孔矽材料作為紫外線螢光粉末之研究
2016年工研院計畫
2016/01/01~2016/12/31工研院-電子與光電系統研究所,金額: 1,400,000元,
具製程變異校正功能之OLED複合式大面板亮度均一調變之晶片電路設計及其模組之實現
2015年工研院計畫
2015/01/01~2015/12/31工研院-電子與光電系統研究所,金額: 1,200,000元,
依環境亮度調節之智慧節能/智慧裝飾之多通道OLED調光驅動電路及模組設計
2013年國科會計畫
2013/08/01~2014/07/31國科會,NSC-102-2221-E-305-016,金額: 945,000元,
矽基材多孔矽發光元件之製程開發及其壽命改質之封裝技術研究
2012年國科會計畫
2012/08/01~2013/07/31國科會,NSC-101-2221-E-305 -012,金額: 1,012,000元,
新式橫向膜多孔矽異質接面製程及其生化感測晶片應用之感測薄膜電晶體之技術研究
2010, 2011, 2012年三年期國科會計畫
2010/8/1~2013/7/31 (三年期整合型總主持人)國科會,NSC 99-2632-E-129-001-MY3, 三年總金額: 9,965,000元,
可撓式發光顯示器模組與薄膜太陽能儲能系統整合技術研發及其創意產業
2011年國科會計畫
2011/08/01~2012/07/31國科會,NSC-100-2221-E-129 -013,金額: 907,000元,
陽極氧化微流道與陰極電鍍微導線之整合技術及其應用於多孔矽微感測實驗室晶片之開發
2009, 2010年兩年期國科會計畫
2009/08/01~2011/07/31 (兩年期個別型主持人)國科會,NSC-98-2221-E-129 -013 -MY2,金額: 1,774,000元,
以奈米級多孔矽薄膜研製複合式光敏與氣敏微型感測陣列元件及其在色光與電性輸出響應之研究
2009年國科會計畫
2009/11/01~2010/10/31 國科會, NSC-98-2622-E-129-006-CC3, 金額: 495,000元,
半導體薄膜高精密表面檢測之數位影像多點網路資訊共享平台應用計畫
2008年國科會計畫
2008/08/01~2009/07/31國科會NSC-97-2221-E-129-016金額:923000元,
以新異電蝕製程進行奈米級多孔矽薄膜於太陽能吸收/轉換元件與可見光放射元件之應用及其於能源與照明之光電轉換效率改善
2007年國科會計畫
2007/08/01~2008/07/31國科會,NSC-96-2221-E-129 -012,金額:413000元,
矽基材新異電蝕製程之開發及其光電特性之應用研究

獎項 (Awards)

1. 教學與研究榮譽


2. 國際性名人錄榮譽


3. 學術榮譽


4. 擔任國際學術期刊、研討會之審查委員


5. 其他



研究貢獻 (Research)

1. Laser-Trench Direct Patterning Technology


2. Porous-Si Edge Effect


3. Si-Oscillator



4. Porous-Si Powder及對應之高效能電容式UV-Detector



5. IC設計及應用類



6. 多孔矽之創新技術類




研究指導 (Advising)

畢業時間 姓名 題目
109 田孝謙 以石墨烯/多孔矽複合結構運用於二氧化碳氣體感測器之改良研究
108 黃育辰 以雷射雕刻進行三維電化學蝕刻之多孔矽複頻發光研究
108 賴以昕 結合多孔矽粉末與薄膜之電容型 與電導型之紫外光偵測器
108 江泰霖 以雷射壕溝對多孔矽進行直接構圖 並改善其光致發光特性及其表面分析
107 李敬賢 多孔矽薄膜及其螢光粉末之製程設計、表面分析與光激發光特性之研究
107 劉奕成 具雙模自動切換控制之寬負載直流對直流降壓轉換器
107 連啟淳 多孔矽電激發光特性之研究
105 萬良芳 室溫多孔矽負微分電阻特性之射頻震盪二極體之機制分析
105 劉冠彣 多孔矽二極體振盪器之技術研究
105 林鼎超 具快速暫態響應及兩段智能開關控制之高效率降壓轉換器
104 薛馥霆 Implementation of a Wide-Load Low-Ripple High-Efficient Buck Converter with a Smart Multiple Switch Control
103 黃柏嘉 高效率之同步電壓式雙模切換直流對直流轉換器設計
102 彭坤基 以數位訊號控制器為控制核心實現交錯式功率因數校正級【與劉萬榮教授共同指導】
102 魏明輝 高效率脈波寬度調變穩壓與低漣波降壓器之整合設計【與劉萬榮教授共同指導】
102 崔玉麒 可變頻調光之多通道LED驅動系統晶片之設計【與劉萬榮教授共同指導】
102 吳孟學 具多段智能開關電流式升壓轉換器設計【與劉萬榮教授共同指導】
102 温智翔 超充模式之最小互穩壓單電感雙輸出降壓電源轉換器【與劉萬榮教授共同指導】
101 鄭清峰 PN矽基板上蝕刻圖形化多孔矽【與顏旭男教授共同指導】
101 姜謙德 PN型多孔矽與電極閘之光電特性研究【與顏旭男教授共同指導】
101 古瑞丹 改善鉛蓄電池效能之連續脈衝充電器【與劉萬榮教授共同指導】
101 梅利安 可調亮度與色彩之多通道 RGB LED 驅動器【與劉萬榮教授共同指導】
101 陸奕成 低功率低失真 4 階 2-2 串接三角積分調變器設計【與劉萬榮教授共同指導】
101 王世賢 高效率20MHz切換頻率電流模式降壓電源轉換器設計【與劉萬榮教授共同指導】
101 林矗蔚 多孔矽橫向感測器之研製及其電漿改質之研究【與曹春暉教授共同指導】
101 李佳峰 多孔矽於退火處理之分析研究【與周賢民教授共同指導】
99 彭俊誠 多孔矽微型陣列感測元件研製
99 周志聰 使用攪拌法進行均勻多孔矽製程研究與結構分析
99 賴衍中 陣列式多孔矽多工感測薄膜之研製【與施漢章教授共同指導】
99 劉信宏 高品質多孔矽薄膜外加擾動機制之研究【與曹春暉教授共同指導】
99 陳家國 多孔矽發光特性及偏壓效應之影響【與曹春暉教授共同指導】
98 王信凱 多孔矽邊緣效應與可圖形化漸變光致螢光技術之研究
98 蔡文禎 奈米矽顆粒於發光塗料之應用研究【與曹春暉教授共同指導】
98 潘家頎 多孔矽電化學蝕刻及於無氧化層電鍍之研究與分析【與曹春暉教授共同指導】
97 陳奕宏 多孔矽的致冷與加熱製程研究和結構分析
97 鄭博任 多孔矽結構之電流-電壓/電容-電壓特性研究及其於感測元件之應用
97 林秀錦 以水熱法成長氧化鋅薄膜及其特性分析【與杜翰艷教授共同指導】
97 林惠智 各類製程對多孔矽結構之影響與分析【與張瑞慶教授共同指導】
97 陳芝伊 氧化銦錫應用於多孔矽太陽電池製程之研究【與陳義揚教授共同指導】
97 陳奕鴻 多孔矽材料之電鍍後製程於電特性與熱效應之研究與分析
97 邱定中 多孔矽電化學蝕刻法及電鍍法之整合研究【與曹春暉教授共同指導】
96 沈廉超 多孔矽材料熱效應之研究與分析
96 黃國閔 多孔矽材料之退火製程於光電特性之研究與分析
96 傅承暉 電解電流對多孔矽製程之研究
96 陳志威 使用加熱法進行多孔矽製程研究與結構分析
96 張瑞家 多孔矽薄膜特性分析及光電應用
95 謝濟行 矽基材之蝕刻研究與特性分析
95 楊基愷 奈米多孔矽及其表面分析之研究
95 李力行 多孔矽與金屬薄膜之加熱性質探討
95 黃科智 超臨界流體沉積技術於多孔矽材料鍍膜對表面電特性的影響
94 李博文 以霍爾效應強化n型多孔矽之製程
94 陳威綸 多孔矽材料奈米孔洞之研究與特性分析
94 陳語絜 高電子遷移率場效電晶體及絕緣層上矽場效電晶體之模擬分析
94 后希庭 多孔矽製程研究、結構分析及其應用
92 李文勝 多孔矽-金屬蕭基界面與材料電特性量測分析
92 孫尚禮 互補式金氧半場效電晶體元件及材料之模擬與分析
91 朱奉昇 高電子遷移率電晶體在化合物半導體材料與元件結構設計之模擬分析